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一鍵投遞

普冉半導體

資深存儲器設計工程師

18萬-36萬/年
上海
|
工作經驗不限
|
本科
|
全職

職位誘惑: 五險一金,福利好,年底雙薪,成長空間大,交通補助,技能培訓

發布時間: 2021-08-30發布

職位描述

崗位要求：

從事EEPROM/Flash Memory電路設計，包括架構設計、模擬及高壓模塊設計、控制邏輯設計等
負責EEPROM/Flash Memory測試評價，跟蹤產品的應用及客戶技術服務支持工作

崗位職責：

大學本科及以上學歷，電子工程、微電子或相關專業
具有良好的模擬或數字電路基礎
熟練使用各種相關EDA工具
具有獨立分析解決問題的能力
良好的團隊合作精神
有EEPROM/Flash Memory相關設計或測試經驗者優先

職位發布者

普冉半導體（上海）有限公司

HR

7天

簡歷處理用時

100%

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普冉半導體

領域: 智能硬件,通信網絡,工業控制

規模: 0-50人

主頁: http://www.puyasemi.com

工作地址:

廣蘭路地鐵站附近

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